Вперше з використанням методу диску, що обертається, досліджено основні закономірності хімічного розчинення монокристалів GaAs, нелегованого та легованого оловом InAs, GaSb та InSb у розчинах систем <$Eroman {H sub 2 O sub 2} > - <$Eroman HBr> - розчинник. Визначено вплив природи розчинника на полірувальні властивості таких розчинів, а також на швидкість хімічного травлення монокристалів GaAs, InAs, InAs(Sn), GaSb і InSb та якість поверхі після травлення. Показано, що легування індій арсеніду станумом незначно впливає на швидкість хімічного травлення та майже не змінює меж концентраційних областей полірувальних і селективних розчинів у досліджуваних системах. Вперше встановлено існування компенсаційної залежності у процесі хімічного травлення досліджуваних монокристалів водними розчинами <$Eroman {H sub 2 O sub 2} > - <$Eroman HBr> - розчинник і показано, що вона не залежить від природи напівпровідникового матеріалу та характеру розчинів, які використовуються для хімічного травлення. Вперше вивчено залежності швидкостей хіміко-динамічного полірування від розведення базових полірувальних композицій <$Eroman {H sub 2 O sub 2} > - <$Eroman HBr> - розчинник. Встановлено вплив природи та концентрації розчинників на полірувальні властивості сформованих травників і стан полірованої поверхні досліджуваних монокристалів.

• Шелюк Ірина Олександрівна (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"