Окрепка Г. М. Взаємодія монокристалів CdTe та твердих розчинів ZnxCd1-xTe з травильними композиціями HNO3-HBr-розчинник : автореф. дис ... канд. хім. наук : 02.00.21 / Г. М. Окрепка; Прикарпат. нац. ун-т ім. В.Стефаника. - Івано-Франківськ, 2009. - 20 c. - укp.Вивчено характер розчинення досліджуваних матеріалів в розчинах систем: <$Eroman HNO sub 3>-<$Eroman HB sub r>-етиленгліколь, <$Eroman HNO sub 3>-<$Eroman HB sub r>-лактатна, <$Eroman HNO sub 3>-<$Eroman HB sub r>-40 %-на тартратна і <$Eroman HNO sub 3>-47 %-на <$Eroman HB sub r>-тартратна, <$Eroman HNO sub 3>-<$Eroman HB sub r>-1 М цитратна і <$Eroman HNO sub 3>-<$Eroman HB sub r>-2 М цитратна кислоти та побудовано 24 діаграми "склад травника - швидкість травлення" з визначенням меж областей полірувальних і неполірувальних розчинів. Досліджено залежності швидкостей травлення від температури та швидкості обертання диску та показано, що процес розчинення цих напівпровідників у полірувальних розчинах <$Eroman HNO sub 3>-<$Eroman HB sub r>-розчинник лімітується змішаною кінетикою. Із аналізу температурних залежностей швидкостей розчинення підтверджено існування компенсаційного ефекту в кінетиці хімічного травлення CdTe і <$E{ roman Zn} sub x { roman Cd} sub {1~-~x }>Te в травильних композиціях <$Eroman HNO sub 3>-<$Eroman HB sub r>-розчинник. Виявлено вплив природи розчинника та концентрації бромідної кислоти на швидкість хімічного розчинення, полірувальні властивості розчинів і якість полірованої поверхні CdTe і <$E{ roman Zn} sub x { roman Cd} sub {1~-~x }>Te. Показано, що зі зростанням вмісту цинку в складі твердого розчину <$E{ roman Zn} sub x { roman Cd} sub {1~-~x }>Te швидкість травлення зменшується, а області полірувальних травників на діаграмах збільшуються. Встановлено вплив кількісного й якісного складу травників, а також способів хімічної обробки на параметри шорсткості поверхонь CdTe і твердих розчинів CdTe і <$E{ roman Zn} sub x { roman Cd} sub {1~-~x }>Te. Оптимізовано склад полірувальних травильних композицій <$Eroman HNO sub 3>-<$Eroman HB sub r>-розчинник і технологічні режими хіміко-динамічного і хіміко-механічного полірування для видалення порушеного шару, контрольованого потоншення пластин до заданих розмірів, зняття тонких плівок і фінішного полірування монокристалів CdTe і твердих розчинів <$E{ roman Zn} sub x { roman Cd} sub {1~-~x }>Te. Індекс рубрикатора НБУВ: Г126.235-27 + З843.3-060.1/8
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА367051 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|