Теоретичний аналіз впливу валентної зони нанорозмірного діелектричного шару на тунельний струм в контактах напівметал ізолятор - метал показав, що їх вольт-амперні характеристики можуть мати ділянки негативного диференціального опору в залежності від положення рівня Фермі. Даний результат дозволяє вперше пояснити аномальну поведінку тунельних кривих, яка неодноразово спостерігалася експериментально, але досі ще не знайшла свого остаточного теоретичного обгрунтування. Вперше теоретично досліджено вплив верхнього краю валентної зони ізолятора на ефект спінової фільтрації в тунельних структурах із двома нанорозмірними шарами магнітною діелектрика. Розрахунки залежності магнітоопору таких систем від поданої напруги зсуву показали, що за невеликої напруги його величина стає нескінченно малою тоді, коли хімічний потенціал знаходиться поблизу середини забороненої зони ізолятора. Дана обставина, яка не була врахована раніше, пояснює гігантську розбіжність між теоретичними оцінками магнітоопору подвійних тунельних спінових фільтрів і відповідними експериментальними даними. В межах теоретичного підходу, який базується на теорії розсіювання носіїв струму в багатошарових структурах, виконано комп'ютерні симуляції зарядового транспорту в дуже асиметричних джозефеонівських контактах з двома потенціальними бар'єрами та вільним від дефектів нормальним прошарком між ними. Встановлено, що в даному випадку ділянки негативного диференціального опору на вольт-амперних характеристиках контактів з перехідними металами та сплавами виникають внаслідок утворення зв'язаного квантово-механічного стану в нормальній області. Відповідні експериментальні криві, одержані для переходів Джозефсона з нітридом ніобію, підтверджують теоретичні висновки.

• Хачатурова Тетяна Олександрівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"