Дьогтєв А. В. Вплив структурних особливостей фотонних кристалів на основі GaAs на оптичні спектральні характеристики пасивних оптичних елементів на їх основі : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.05 / А. В. Дьогтєв; Харк. нац. ун-т ім. В.Н.Каразіна. - Х., 2009. - 20 c. - укp.Досліджено та подано теоретичний опис впливу параметрів фотонних кристалів, таких як розміри отворів та постійної решітки, на фотонну заборонену зону, а також на спектри пропускання та втрати оптичних інтегральних елементів на основі фотонних кристалів. Показано, що перехідник, який працює на ефекті фотонної забороненої зони фотонного кристалу, має найбільші коефіцієнти пропускання та найменші втрати. Фотонний кристал на основі гексагональної решітки циліндричних отворів має найбільшу фотонну заборонену зону. Аргументовано, що на практиці доцільно використовувати хвилевод на основі квадратної решітки з циліндричними отворами, оскільки він має широку смугу та високі коефіцієнти пропускання. Показано, що спостерігається значне зростання коефіцієнта пропускання для довжини хвилі 1,55 мкм зі зростанням ширини хвилеводної області хвилеводів на основі фотонних кристалів. Індекс рубрикатора НБУВ: В374,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА366996 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|