Методами релаксаційної екзоелектронної емісійної спектроскопії досліджено радіаційну стійкість поверхонь кристалів галоїдів цезію у процесі їх опромінення та показано паралелізм релаксацій дефектно-іонної й електронної підсистем. Встановлено граничні густини радіаційного потоку та дози опромінення, за яких має місце накопичення радіаційних дефектів і радіоліз поверхонь галоїдів цезію з особливими нано- та мікроутвореннями, що має практичне значення. Проведено комплексні дослідження атомної та зонної структури, топографії поверхонь (100) чистих та інтеркальованих шаруватих кристалів <$Eroman In sub 4 Se sub3>, формування міжфазових меж і поверхневих фаз. Встановлено структурні й електронні особливості поверхонь і природу електронних локалізованих станів, анізотропію зонної структури й електронних спектрів поверхонь кристалів. Виявлено особливості поверхневих фазових і міжфазових утворень з метою створення на цій основі засад технології формування поверхневих наноструктур.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Галій Павло Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"