Освещены теоретические и экспериментальные результаты исследований методов выращивания монокристаллов и эпитаксиальных пленок SiC, а также карбидкремниевой керамики (ККК). Проанализированы особенности дефектообразования в SiC, роль дислокаций в процессах деградации p - n переходов и диодов Шоттки. Внимание уделено технологии карбидкремниевых приборных структур, в частности, окислению SiC и формированию омических и барьерных контактов. Приведены данные о структуре и параметрах карбидкремниевых микроволновых диодов, а также рассмотрены разные области применения SiC и ККК.

Індекс рубрикатора НБУВ: Л463.3

Рубрики:

Карбід кремнію (карборунд)

Шифр НБУВ: ВА745156 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Бєляєв Олександр Євгенович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)
• Поляков Валентин Володимирович (медичні науки)
• Поляков Володимир Вадимович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"