Агеев О. А. Карбид кремния: технология, свойства, применение : монография / О. А. Агеев, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, В. С. Киселев, Р. В. Конакова, А. А. Лебедев, В. В. Миленин, О. Б. Охрименко, В. В. Поляков, А. М. Светличный; НАН Украины, Ин-т физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва, НИИ "Орион", РАН, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе, Юж. федер. ун-т, Технол. ин-т. - Х., 2010. - 532 c. - (Состояние и перспективы развития функцион. материалов для науки и техники). - рус.Освещены теоретические и экспериментальные результаты исследований методов выращивания монокристаллов и эпитаксиальных пленок SiC, а также карбидкремниевой керамики (ККК). Проанализированы особенности дефектообразования в SiC, роль дислокаций в процессах деградации p - n переходов и диодов Шоттки. Внимание уделено технологии карбидкремниевых приборных структур, в частности, окислению SiC и формированию омических и барьерных контактов. Приведены данные о структуре и параметрах карбидкремниевых микроволновых диодов, а также рассмотрены разные области применения SiC и ККК. Індекс рубрикатора НБУВ: Л463.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА745156 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|