Розглянуто фізичні явища у p-n- та гетеропереходах, визначено особливості концентрації носіїв заряду у напівпровідниках. Запропоновано методику визначення висоти потенціального бар'єра та контрактної різниці потенціалів. Охарактеризовано типи p-n-переходів за розподілом концентрації домішок. Описано фізичні процеси у структурах метал - діелектрик - напівпровідник (МДН). Проаналізовано вплив заряду в діелектрику на властивості МДН-структури. Наведено загальну характеристику, розглянуто структуру й елементи напівпровідникового діода. Запропоновано методику розрахунку вольтамперних характеристик діода за високих рівнів інжекції. Наведено відомості про фізичні явища у бар'єрах Шотткі.

Рассмотрены физические явления в p-n- и гетеропереходах, раскрыты особенности концентрации носителей заряда в полупроводниках. Дана методика определения высоты потенциального барьера и контактной разницы потенциалов. Охарактеризованы типы p-n-переходов по распределению концентрации примесей. Описаны физические процессы в структурах металл - диэлектрик - полупроводник (МДН). Проанализировано влияние заряда в диэлектрике на свойства МДН-структуры. Дана общая характеристика, рассмотрены структура и элементы полупроводникового диода. Рассмотрена методика расчета вольт-амперных характеристик диода при высоких уровнях инжекции. Изложены сведения о физических явлениях в барьерах Шоттки.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5 я73

Рубрики:

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Шифр НБУВ: ВА721585 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Хомяк Володимир Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"