Новіков С. М. Моделювання X-променевих топографічних зображень дефектів у реальних кристалах Si : автореф. дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.07 / С. М. Новіков; Чернів. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича. - Чернівці, 2010. - 36 c. - укp.Досліджено вплив еквідистантного й експоненційного згину атомних площин на формування просторового розподілу інтенсивності дифрагованого пучка й амплітудних залежностей за умов Х-променево акустичного резонансу. Визначено вплив параметрів ультразвукової хвилі, поверхневої релаксації напружень, експоненційного згину вхідної та вихідної поверхонь, еквідистантного згину атомних площин кристала та "потужності" мікродефектів у кремнії на розрізну здатність секційної топографії. Встановлено закономірності формування дифракційних зображень "сторчкової" крайової дислокації на секційних топограмах залежно від розташування її в палатці Бормана та під час дії зовнішніх чинників для випадків тонкого та товстого кристалів кремнію. Проаналізовано найбільш імовірних моделей дислокаційних петель (ковзних і призматичних), дислокаційних бар'єрів Ломера - Котрела в кремнію та досліджено особливості формування їх дифракційних зображень на секційних і проекційних топограмах з урахуванням анізотропії, розмірів, просторового розміщення, величини й орієнтації вектора Бюргерса. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.134,022 + В372.31,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА376541 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|