Рассмотрены электронные возбуждения и элементарные неупругие процессы в криокристаллах. Исследован процесс радиационно-индуцированного образования дефектов в криокристаллах инертных элементов. Даны аналитические методы исследования подпороговых процессов радиационной модификации криокристаллов, в частности, раскрыты возможности использования фотолюминесцентной спектроскопии с временным разрешением, катодо- и термолюминесцентной спектроскопии, масс-спектрометрии фотостимулированной десорбции, лазерно-индуцированной флюоресценции и термоактивационной спектроскопии ионных центров для изучения этих процессов. Охарактеризованы каналы релаксации электронных возбуждений, описаны экситонные и электронные механизмы образования дефектов и локальные центры в решетке криокристаллов. Изложены методы модификации криокристаллов ридберговскими возбуждениями. Рассмотрены рекомбинационные механизмы модификации криокристалов. Приведены методы модификации молекулярных пленок возбуждением внутриатомных электронных оболочек. Описаны подпороговые механизмы модификации поверхности атомарных криокристаллов.

• Огурцов Олександр Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"