Воронкін Є. Ф. Оптимізація умов отримання напівпровідникових кристалів CdTe, Cd(Zn)Te, ZnSe(Te) та детекторів на їх основі : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.02.01 / Є. Ф. Воронкін; Ін-т монокристалів НАН України. - Х., 2009. - 20 c. - укp.Розроблено методику й апаратуру, що дозволяє одержувати особливо чисті матеріали, зокрема, цинк, кадмій і телур рівня чистоти 6N в в контейнері, що обертається. Оптимізовано умови одержання напівпровідників CdTe, Cd(Zn)Te і детекторів на їх основі, що дозволило одержати енергетичне розділення 4,5 % під час реєстрації <$Egamma>-квантів з енергією 59,54 кеВ (). Розроблено оригінальну конструкцію та методику виготовлення детекторів УФ-випромінення на основі ZnSe з поліпшеною в двічі фоточутливістю відносно відомих аналогів. Оптимізовано та впроваджено в дослідне виробництво Інституту сцинтиляційних матеріалів технологічний процес виготовлення сцинтиляторів на основі ZnSe, який було сертифіковано в системі управління якістю. Розроблено технологічний процес виготовлення методом групової різки сцинтиляційних 1D- і 2D-матриць на основі кристалів ZnSe для позиційно-чутливих детекторів. Індекс рубрикатора НБУВ: К345.5 + К967.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА367944 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|