Визначено вплив низькотемпературного відпалу на спектри ядерного квадрупольного резонансу (ЯКР) і характеристики гетерофотодіодів на основі p-GaSe-n-InSe. Вперше досконалість монокристалічних зразків GaSe і InSe до і після термообробки оцінювали за тонкою структурою спектрів ЯКР, що відображають впорядкування політипних модифікацій. Встановлено, що покращення основних параметрів гетерофотодіодів, виготовлених методом прямого оптичного контакту, спостерігається за температур відпалу вихідних матеріалів <$E150~symbol Ш~200~symbol Р roman C>. Встановлено оптимальний режим термообробки вихідних матеріалів та їх гетероструктур, що дозволяє значно прокращити якість фотоелектричних параметрів за рахунок зниження дефектності а об'ємі кристалу. Якість кристалічних зразків, вирощених методом Бріджмена, проконтрольовано за спектрами ЯКР ізотопів <$Enothing sup 69 roman Ga> і <$Enothing sup 111 roman In> з використанням автодинної методики спостереження в частотному діапазоні 19 <$Esymbol Ш> 22 МГц.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33 + З852-03

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: РА374896 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Ластівка Галина Іванівна (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"