Визначено розподіл концентрації пасток вглиб затворних стеків на основі різних high-k діелектриків (HfSiON, HfO ₂, що використовувалися у кремній-на-ізолятор (КНІ) finFET'ах з різними геометричними розмірами. Встановлено вплив дво- й одновісного напруження на шумові властивості КНІ планарних і finFET-транзисторів з різними high-k затворними оксидами. Виявлено явище насичення стокового струму та його надлишкового шуму за великих значень перенапруги на верхньому затворі КНІ планарних і finFET-транзисторів, причини якого пояснені за допомогою шумових вимірювань. Виявлено нетривіальну розмірну залежність стокового струму та відповідного шуму КНІ планарних і finFET-приладів, причини якої встановлено за допомогою шумових вимірювань. Виявлено шумові лоренціани, що супроводжують ефекти плаваючої бази, у КНІ finFET'ах; за допомогою шумових даних визначено нешумові параметри, що характеризують роботу finFET'ів (коефіцієнт передачі по базі, рухливість тощо). Встановлено та пояснено вплив двозатворної конфігурації КНІ транзисторів на лоренціанівський шум, що супроводжує ефекти плаваючої бази. Встановлено та пояснено вплив акумулювальної напруги на нижньому затворі КНІ транзисторів на шумові лоренціани, що супроводжують нелінійний кінк-ефект.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Кудіна Валерія Миколаївна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"