РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000300160<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Дружинин А. А. 
Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов / А. А. Дружинин, В. И. Голота, И. Т. Когут, Ю. Н. Ховерко // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2009. - № 5. - С. 20-25. - Библиогр.: 10 назв. - рус.

Показаны примеры приборных элементов для микросистемных приложений, сформированных на локальной трехмерной КНИ-структуре. Установлена область применения компактной EKV-модели МОП-транзистора для рассчета характеристик КНИ МОП-транзисторов. Проведено сравнение расчетных и экспериментальных выходных характеристик КНИ МОП-транзистора, в котором подканальная область соединена с истоком. Разработана схема управления кремниевым микрокатодом, обеспечивающая линейное изменение автоэмиссионных токов при фиксированном напряжении на электродах. Разработана топология микрокатода, интегрированного со схемой управления, которую можно мультиплицировать в матрицы больших размеров.

Показано приклади приладних елементів для мікросистемних застосувань, які сформовані на локальній тривимірній КНІ-структурі. Встановлено область застосування компактної EKV-моделі МОН-транзистора для розрахунку характеристик КНІ МОН-транзисторів. Проведено порівняння розрахункових і експериментальних вихідних характеристик КНІ МОН-транзистора, в якому підканальна область з'єднана із витоком. Розроблено схему керування кремнієвим мікрокатодом, яка забезпечує лінійну зміну автоемісійних струмів у разі фіксованої напруги на електродах. Розроблено топологію мікрокатода, інтегрованого зі схемою керування, яку можна тиражувати в матриці великих розмірів.

Examples of device elements for Microsystems, developed on local three-dimensional structure are shown. The application area of compact EKV models of the MOS-transistor for calculation of SOI MOS-transistors characteristics has been established. The calculated and experimental output characteristics of the SOI MOS-transistor, in which the under channel area is connected to a source, have been compared. The control circuits of the silicon microcathode, providing linear change of field emission currents at the fixed voltage on electrodes have been developed. The layout of the microcathode, integrated with the control circuit, which can be multiplicated into large size matrixes have been designed.


Ключ. слова: КНИ-структуры, КНИ МОП-транзисторы, тестовая структура, топология, автоэмиссионные микрокатоды, схема управления
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського