Висвітлено еволюцію спектральних параметрів квазістаціонарних станів електрона симетричних три- та чотирибар'єрних плоских резонансно-тунельних структур. Визначено провідність циліндричних двобар'єрних нано-резонансно-тунельних структур, електрон-фононну взаємодію у складному напівпровідниковому еліптичному квантовому дроті, залежність енергетичного розподілу валентних електронів високопористого вуглецю від ступеня відпалу методом ультрам'якої рентгенівської емісійної спектроскопії. Проаналізовано вплив змінної деформації на фотоелектричні властивості p-n-переходу. Розглянуто питання інтерференції випромінювання двох точкових зарядів у класичній релятивістичній електродинаміці, структурної релаксації в аморфному сплаві на основі кобальту. Описано люмінесцентні властивості активованих металами кристалів йодистого кадмію. Розкрито особливості екситонних спектрів люмінесценції в монокристалах CdS з дефектами кластерного типу, роль деформації кристалічної гратки монокристалів сульфіду кадмію в зміні параметрів центрів випромінювальної рекомбінації.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"