Уперше визначено критичну товщину контактного плавлення в бінарних шаруватих плівкових системах евтектичного типу (Su - Bi, Ge - Au), тобто товщину плівки одного з компонентів, що перебуває в контакті з товстою плівкою другого компонента, нижче за яку формування рідкої фази в системі за евтектичної температури не відбувається. Уперше встановлено залежність температури плавлення евтектики Ge - Au на аморфній вуглецевій підкладці від товщини шаруватої плівкової системи евтектичного складу. Уперше показано, що під час плавлення початкових вакуумних конденсатів Sn, Bi та Sn - Bi евтектичного складу, які ростуть на аморфних вуглецевих підкладках за кімнатної температури за механізмом Фольмера - Вебера, формуються острівцеві системи, у яких коефіцієнт заповнення підкладки є немонотонною функцією масової товщини.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сухов Руслан Володимирович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"