Проведено теоретичне дослідження оптичного відгуку InGaN/GaN напівпровідникової гетероструктури з квантовою ямою. Досліджено спільний вплив п'єзоелектричного ефекту, екранування електронно-діркової плазми та поверхневої сегрегації індію на потенціальний рельєф, дипольний матричний елемент міжзонних оптичних переходів, зонну структуру енергетичних станів і спектральні характеристики поглинання та підсилення з урахуванням колективних ефектів. Встановлено, що поверхнева сегрегація індію призводить до зміщення енергетичних зон електронів та дірок, що в свою чергу, призводить до зміщення червоної межі поглинання в область високих частот. Величина зміщення зростає зі збільшенням молярної частки індію в квантовій ямі. Колективні ефекти призводять до зміщення спектральних характеристик підсилення в область низьких частот внаслідок ефектів обміну. П'єзоелектрична поляризація обумовлює затухання екситонних резонансів і зменшення коефіцієнтів поглинання та підсилення. Базуючись на одержаних результатах, виявлено умови, за яких вплив поверхневої сегрегації індію на оптичні спектральні характеристики є мінімальним.

• Клименко Михайло Васильович (фізико-математичні науки)
• Клименко Михайло Вікторович (медичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"