Петрусь Р. Ю. Створення та фотоелектричні властивості структур на основі багатокомпонентних халькогенідів : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.18 / Р. Ю. Петрусь; Прикарпат. нац. ун-т ім. В.Стефаника. - Івано-Франківськ, 2010. - 19 c. - укp.Удосконалено технологію вирощування методами спрямованої кристалізації та хімічних транспортних реакцій монокристалів InSe, <$Eroman {In sub2 Se sub 3 }> та твердих розчинів <$E{roman Cd} sub {1~-~x} {roman Mn} sub x roman Te> (x=0,00-0,70). Визначено елементний склад, досліджено структуру та фізичні властивості монокристалів. Запропоновано нову технологію формування енергетичного бар'єру методом термообробки вирощених кристалів і створено випрямні фоточутливі гетероструктури nOx/n-InSe, Ox/<$E{roman Cd} sub {1~-~x} {roman Mn} sub x roman Te> (x=0,00-0,70). Проаналізовано стаціонарні вольтамперні характеристики та спектри відносної квантової ефективності одержаних гетероструктур у природному, а для n-Ox/n-InSe і в лінійно-поляризованому випромінюванні. Створено бар'єри Шоткі In/n-<$Eroman In sub 2 Se sub 3>, Al/n-<$Eroman In sub 2 Se sub 3> та In/<$E{roman Cd} sub {1~-~x} {roman Mn} sub x roman Te>, фоточутливі в широкому інтервалі енергій спадних фотонів (1 - 3,8 еВ, 300 К). Виявлено можливості застосування створених фоточутливих поверхнево-бар'єрних структур як високоефективних широкосмугових фотоперетворювачів оптичного випромінювання та в розробках приладів магнітної фотоелектроніки. Індекс рубрикатора НБУВ: Г126.205 + В379.251.4,022 + В379.271.4,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА375366 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|