Изложены физические принципы действия многих современных твердотельных приборов. Рассмотрены неравновесные носители заряда в полупроводниках, контактные явления, биполярные, униполярные транзисторы, туннельные и пролетные явления и приборы. Описаны междолинный перенос электронов, электрон-фонное взимодействие и акустоэлектроника, резонансное туннелирование, сверхрешетки и наноэлектроника, размерное и магнитное квантование, излучение и поглощение в полупроводниках. Охарактеризированы светодиоды, лазеры и фотоприемники на основе сверхрешеток и квантовых ям.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"