Обобщены результаты исследований, которые стали основой для разработки новой технологии выращивания крупногабаритного оптического сапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации с использованием углеграфитовых конструкционных материалов тепловой зоны. Присутствие углерода в зоне нагрева приводит к формированию газовой среды с низким парциальным давлением кислорода, которая является одновременно защитной для вольфрама и молибдена и восстановительной по отношению к <$E roman Al sub 2 O sub 3>. Проанализированы проблемы, связанные с нарушением стехиометрии расплава в результате массообмена с окружающей средой, необходимые для выращивания кристаллов сапфира оптического качества и особенности эксплуатационных свойств выращенных кристаллов. Представлены разработки ряда перспективных направлений использования восстановительных сред для термохимической очистки глинозема, отжига сапфировых изделий, термохимической обработки их поверхности и получения пленок оксинитрида (AION) и нитрида

(AIN) алюминия на поверхности сапфира.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"