Влайков Г. Г. Формування наноструктур темплантним синтезом / Г. Г. Влайков, М. Ю. Барабаш, М. А. Заболотний, Д. О. Гринько, Ю. М. Барабаш, Л. Ю. Куницька; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Ін-т фізики, Київ. нац. ун-т ім. Т. Шевченка, Техн. центр НАН України. - К., 2010. - 230 c. - укp.Розглянуто фізико-хімічні основи темплантних методів самоорганізації наноструктур і наноматеріалів. Охарактеризовано електрофотографічний метод формування темплатів на основі органічних нанокомпозитних напівпровідників. Розкрито особливості селективного фазоутворення на поверхні електростатичного темплату. Наведено інформацію про наноструктуровані поверхневі шари, сформовані на темплатах. Описано прилади електроніки й оптоелектроніки на основі нанокристалів. Увагу приділено вирощуванню нанокристалів і їх впорядкованих масивів для застосування в спектроскопії, сенсориці, фотовольтаїці й оптоелектроніці. Індекс рубрикатора НБУВ: Ж620
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА737275 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|