Досліджено вплив проміжного активного шару на механізм формування фотоструму в контакті метал-напівпровідник у випадках, коли як активний шар використовуються тонкі плівки фулериту чи органічного напівпровідника, де за рахунок поглинання світла генеруються додаткові електронно-діркові пари, металеві наночастинки, та збуджується особливий тип квазічастинок - локальні плазмони. Визначено внесок активних шарів у загальний фотострум поверхнево-бар'єрних структур метал-напівпровідник. Показано, що введення тонкого проміжного шару фулериту <$Eroman C sub 60> в структури метал-напівпровідник, як з плоскими, так і мікрорельєфними межами поділу, призводить до збільшення їх фотоструму за рахунок додаткової генерації носіїв струму в області власного поглинання <$Eroman C sub 60>, а самі структури демонструють стабільність у часі. Використання хімічно модифікованих шарів фулериту <$Eroman C sub 60> сприяє утворенню на їх поверхні однорідних за формою та розміром металевих наночастинок, та проаналізовано їх вплив на оптичні, електричні та фотоелектричні властивості структур метал-напівпровідник. Встановлено механізм струмопроходження крізь фулеритовий шар і вплив на нього хімічної полімеризації. Показано, що текстурування поверхні неорганічного напівпровідника мікрорельєфних гетеропереходів органічний/неорганічний напівпровідник призводить до значного збільшення фотоструму досліджуваних структур. Досліджено збудження локального плазмонного резонансу в золотих наночастинках на поверхні напівпровідника, та визначено внесок локальних плазмонів у фотострум поверхнево-бар'єрних структур Au/GaAs з проміжним шаром наночастинок золота н

а межі поділу.

• Науменко Денис Олександрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"