Бут А. В. Цілеспрямована стимуляція перебудови полів дефектів структури кристалів CdZnTe і ZnSe:Te : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / А. В. Бут; НАН України, Ін-т електрофізики і радіац. технологій. - Х., 2011. - 20 c. - укp.Наведено результати досліджень структурних, оптичних, фотоелектричних і фотодіелектричних характеристик кристалів CdZnTe і ZnSe:Te, для обробки яких розроблено нові засоби (алгоритми, програми, пристрої), що базуються на сигнатурному та вейвлет-аналізах. Запропоновано нові інтегративні показники стійкості, що відображають стабільність структури електрофізичних характеристик кристалів і надають можливість системно аналізувати її перебудову під впливом зовнішніх чинників. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 в641,022 + В379.27 в641,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА382459 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|