Камалов А. Б. Oсобенности изготовления и электрофизические свойства контактов n-GaAs(GaP, InP) / А. Б. Камалов; Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. - К., 2008. - 122 c. - Библиогр.: 208 назв. - рус.Проанализированы особенности взаимодействия двухкомпонентной металлизации с полупроводниками <$Eroman A sup 3~ B sup 5>, влияние внешних воздействий на свойства контакта металл - <$Eroman A sup 3~ B sup 5>, в частности, облучения <$Egamma>-квантами <$Enothing roman 60 Co> контактов металл - <$Eroman A sup 3~ B sup 5>, его лазерной, сверхвысокочатотной и термической обработки, внутренние механические напряжения. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5 + З852-06,021
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА725525 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|