Зазначено, що у процесі реєстрації рентгенівського кванта напівпровідниковим детектором відбувається генерація вільних носіїв заряду в невеликому об'ємі (діаметр <$E <<~0,5> мкм). Якщо до електродів напівпровідника прикласти різницю потенціалів, то відбувається направлений рух згенерованих вільних носіїв і відповідний імпульс струму в зовнішньому колі. Запропоновано логічну схему побудови базової кінетичної моделі рентгенопровідності напівпровідників, яка застосовує послідовний у часі розрахунок просторових розподілів вільних носіїв заряду та використовує дифузійно-дрейфову модель руху вільних носіїв у твердому тілі. Одержано базову форму імпульсу струму у зовнішньому колі в аналітичному вигляді для випадку ідеального напівпровідника, тобто такого, що не містить глибоких пасток і центрів рекомбінації, а також основні залежності форми імпульсу струму від місця поглинання рентгенівського кванта та величини прикладеного електричного поля.

• Дегода Володимир Якович (фізико-математичні науки)
• Софієнко Андрій Олексійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"