Одержано експериментальні результати дослідження баричної чутливості шаруватих напівпровідникових кристалів InSe, GaSe та їх металевих інтеркалятів. Результати вимірювань дозволили визначити коефіцієнт баричної (динамічної) чутливості для даних сполук. Високі значення коефіцієнта баричної чутливості монокристалів InSe, GaSe та їх інтеркалятів (<$E k sub P~symbol Ы~10 sup -8~-~10 sup -7> Па<^>-1) для швидкозмінних тисків відкрили можливість для їх використання у ролі чутливих елементів індикаторів перевантажень (акселерометрів). У процесі вимірювань і розрахунків структур шаруватий напівпровідник - кремній установлено, що в області відносних деформацій ~ 10<^>-5 Па<^>-1 коефіцієнт тензочутливості kT = 1300 - 1500, в області відносних деформацій ~ 10<^>-4 Па<^>-1 значення kT = 300. Визначено, що тензочутливість інтеркалятів шаруватих кристалів залежить від ступеня перекриття орбіт атомів інтеркальованої домішки та її концентрації.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.25

Рубрики:

Термодинаміка напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Ковалюк Захар Дмитрович (фізико-математичні науки)
• Боледзюк Володимир Богданович (фізико-математичні науки)
• Шевчик Віталій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"