Використовуючи метод, що базується на мінімізації термодинамічного потенціалу системи кристал - пара як функції концентрації дефектів, розраховано рівноважні концентрації точкових дефектів, вільних носіїв заряду та ступінь відхилення від стехіометрії PbTe залежно від технологічних факторів двотемпературного відпалу (ДТВ) (температури відпалу та тиску пари телуру). Встановлено технологічні умови ДТВ, за яких формується матеріал n- або p-типу провідності.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.251

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Фазові рівноваги. Фазові перетворення

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Горічок Ігор Володимирович (хімічні науки)
• Шевчук Марина Валеріївна (філологічні науки)
• Шевчук Михайло Валерійович (хімічні науки)
• Шевчук Микола Вікторович (хімічні науки)
• Шевчук Марина Володимирівна (психологічні науки)
• Шевчук Мирослава Валеріївна (філологічні науки)
• Шевчук Микола Вікторович (фізико-математичні науки)
• Шевчук Микола Вікторович (хімічні науки)
• Шевчук Михайло Вікторович (технічні науки)
• Туровська Лілія Вадимівна (хімічні науки)
• Туровська Людмила Володимирівна (філологічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"