Абашин С. Л. Влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов CdZnTe / С. Л. Абашин, В. К. Комарь, Д. П. Наливайко, С. В. Олейник, В. М. Пузиков, М. А. Ром, С. В. Сулима, О. Н. Чугай // Радиофизика и электроника. - 2010. - 15, № 3. - С. 71-77. - Библиогр.: 17 назв. - рус.Установлено различие величин удельного электросопротивления <$E rho> кристаллов <$E {roman Сd} sub 1-x {roman Zn} sub x roman Te> (х = 0,12 - 0,16), измеренных в постоянном и переменном электрических полях. Показано, что это различие связано с диссипацией энергии переменного электрического поля, обусловленной диэлектрической релаксацией (ДР). Для оценки вклада ДР в <$E rho> предложено использовать функцию распределения релаксаторов по частоте, которую можно найти из частотной зависимости диэлектрической проницаемости кристалла. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.7
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|