Дмитриев В. М. Влияние микроволнового облучения на токовое резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки / В. М. Дмитриев, И. В. Золочевский, Т. В. Саленкова // Физика низ. температур. - 2009. - 35, № 11. - С. 1089-1095. - рус.Экспериментально исследовано влияние высокочастотного электромагнитного поля на резистивное состояние широкой пленки, обусловленное протеканием постоянного тока. В этой ситуации резистивность возникает как следствие развития двух процессов: движения пирл-абрикосовских вихрей собственного магнитного поля тока и проскальзывания фазы сверхпроводящего параметра порядка. Показано, что под действием микроволнового облучения резистивность пленки, обусловленная вихревым механизмом, уменьшается и при больших уровнях мощности (<$E P~>>~0,4 P sub c>) исчезает, при этом dc резистивность пленки обусловлена только процессами проскальзывания фазы, как в узких безвихревых каналах. Экспериментально установлено, что начиная с некоторого уровня мощности <$E P sup *~<<~P sub c> электромагнитное поле играет определяющую роль в процессах возникновения линий проскальзывания фазы. Аналогичный вывод сделан и при исследовании влияния микроволнового поля на дифференциальное сопротивление центра проскальзывания фазы в узких безвихревых каналах, что говорит о единой природе процессов проскальзывания фазы в широких и узких пленках. Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|