Власенко Н. А. Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния / Н. А. Власенко, Н. В. Сопинский, Е. Г. Гуле, Л. И. Велигура, В. Я. Братусь, Р. С. Мельник, З. Л. Денисова, М. А. Мухльо // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2010. - Вып. 45. - С. 76-82. - Библиогр.: 10 назв. - рус.Показано, что нанесение пленки SiOx (x = 1,2 - 1,3) термическим испарением монооксида кремния на пластину Si p-типа проводимости усиливает краевую люминесценцию в максимуме спектра (<$E lambda sub roman макс> = 1130 - 1140 нм) в 4 - 5 раз и увеличивает относительную интенсивность коротковолновой его части. Значительное усиление фотолюминесценции (ФЛ) наблюдается в случае пленок SiOx с меньшей плотностью оборванных связей, которые получены прерывистым нанесением. Обнаружено существенное различие во влиянии отжига на воздухе при температуре до 1000 <$E symbol Р>C на краевую ФЛ Si-пластин с нанесенной пленкой SiOx и без нее. Объяснение причин выявленного различия базируется на экспериментальных результатах и анализе изменений, происходящих при отжиге Si, пленки SiOx, и на интерфейсе c-Si - SiOx. Індекс рубрикатора НБУВ: Ж671
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|