Иващенко В. И. Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H / В. И. Иващенко, О. К. Порада, Л. А. Иващенко, С. Н. Дуб, И. И. Тимофеева, Л. А. Гришнова // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2010. - 8, вип. 2. - С. 277-285. - Библиогр.: 6 назв. - рус.Исследовано влияние отрицательного потенциала смещения на подложке (UD) на структуру и механические свойства аморфного карбида кремния, полученного методом газофазового осаждения, усиленного высокочастотной плазмой. Пленки охарактеризованы с помощью атомно-силового микроскопа, ИК-абсорбционной спектроскопии, рентгеновской дифракции и оже-спектроскопии. Нанотвердость, модуль упругости и износостойкость пленок достигают максимума для UD ~ -200 В. Для объяснения механизма упрочнения пленок использовано моделирование осаждения пленок SiC на кремниевые подложки. Как следует из экспериментальных и теоретических исследований, наблюдаемое усиление механических характеристик, обусловленное ростом отрицательного потенциала смещения на подложке, является следствием улучшения аморфной структуры, уплотнения пленки и уменьшения шероховатости ее поверхности. Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|