Иванов М. А. Влияние эллипсоидальных включений на осевую теневую картину / М. А. Иванов, Л. Б. Квашнина, В. С. Молодид // Металлофизика и новейшие технологии. - 2010. - 32, № 10. - С. 1335-1347. - Библиогр.: 11 назв. - рус.В рамках классической теории рассеяния исследуется осевая теневая картина в кристалле, содержащем включения, имеющие форму эллипсоида вращения, в случае, когда характерный размер корреляции искажений в кристалле оказывается значительно большим по сравнению с расстоянием, на котором формируется теневая картина. Величина минимального выхода частиц, рассеянных искаженной цепочкой атомов при не слишком больших деформациях, оказывается пропорциональной концентрации включений и является функцией угла, определяющего ориентацию направления наблюдения теневой картины относительно характерного направления эллипсоида, и параметра, характеризующего анизотропию дефекта. Это обстоятельство позволяет использовать теневой эффект для диагностики включений в кристаллах. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.31
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|