Получено соотношение, выражающее измеренную кажущуюся емкость полупроводниковой структуры через фактическую емкость и амплитуду измерительного переменного напряжения. С использованием этого соотношения показано, что вольт-фарадные характеристики, имеющие участки крутого падения, в частности вольт-фарадные характеристики тонкопленочных структур GaAs, можно измерять при умеренно малых амплитудах переменного напряжения (порядка 100 мВ) за счет проведения измерений на двух различных амплитудах. Данный вывод подтвержден результатами численного расчета кажущейся емкости ионно-имплантированных структур GaAs.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"