Прохоров Э. Д. Вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Клименко // Вісн. Харк. нац. ун-ту. Радіофізика та електроніка. - 2010. - № 942. - С. 71-75. - Библиогр.: 7 назв. - рус.Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа "сендвич" на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивление между контактами диодной структуры и сопротивление, включенное последовательно с туннельной границей, на вольтамперную характеристику диода, общее сопротивление структуры, отрицательную дифференциальную проводимость структуры. Определены эффективности генерации диодов с туннельными границами в зависимости от параметров диодов. Показано как эффективность генерации изменяется с увеличением частоты. Оценен частотный предел работы диодов с туннельными границами. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.23-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|