Об'єкт дослідження - монотелурид германію Ge0,975Te, що містить високу концентрацію нестехіометричних катіонних вакансій і легований вісмутом, ванадієм або індієм, що вводяться в елементарному вигляді. Одержано залежності коефіцієнта Зеєбека, електропровідності, коефіцієнта Холла й мікротвердості від вмісту Bi, V або In (0 - 1 ат. %) за кімнатної температури. Надано інтерпретацію одержаних даних, що враховує наявність високої концентрації катіонних вакансій, можливість їх заповнення домішковими атомами, розмірний фактор, а також залежність механізму дефектоутворення від концентрації домішкових атомів. Одержані результати мають враховуватися під час легування напівпровідникових сполук з високим ступенем відхилення від стехіометрії з метою оптимізації термоелектричних властивостей.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"