Вакуленко О. В. Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками / О. В. Вакуленко, С. Л. Головинський, С. В. Кондратенко, Ю. І. Мазур, Ж. М. Ванг, Г. Д. Саламо // Укр. фіз. журн. - 2011. - 56, № 9. - С. 944-952. - Бібліогр.: 26 назв. - укp.У гетероструктурах InxGa1-xAs/GaAs з ланцюгами квантових точок (КТ) з різною концентрацією x індію досліджено властивості латерального фотоструму. У разі зона-зонного збудження КТ квантами hv = 1,2 еВ структури виявили довготривалу динаміку наростання та релаксації фотоструму, а також ефект залишкової провідності після вимкнення збуджувального випромінювання. Аналіз даних із термостимульованої провідності після збудження оптичним випромінюванням в області поглинання КТ засвідчив такі значення енергетичних рівнів дефектних станів відносно зони провідності GaAs: 0,11, 0,16, 0,21, 0,24 і 0,35 еВ. На дослідах латеральної фотопровідності виявлено переходи за участю рівнів електронних пасток власних дефектів у GaAs EL2 і EL3. У найпростішому випадку наноструктурного фотопровідника з одним центром прилипання для електронів провідності одержано аналітичний вигляд кінетики фотоструму, який підтверджено на дослідах зі зразками In0,4Ga0,6As/GaAs. Кінетика фотопровідників In0,5Ga0,5As/GaAs є дещо складнішою і її описано лише якісно. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.26
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|