Розраховано парціальні та повні густини електронних станів кристала AlN із домішкою Mn, додатково легованого атомами B, Si та P, для орієнтацій спінового моменту вниз і вгору. Порівняння густин електронних станів чистого та легованого Mn кристала AlN показує, що завдяки домішці Mn у забороненій зоні з'являються гібридизовані енергетичні стани p- і d-симетрії. Додаткове легування атомами B, Si та P спричиняє зміну густини електронних станів і значень спінових магнітних моментів на всіх атомах кристала.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сиротюк Сергій Валерійович (технічні науки)
• Швед Віра Михайлівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"