Оптично досліджено плівки GaN, леговані кремнієм (рівень легування <$E roman N sub Si~=~1,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3) та вирощені за допомогою методу газофазної епітаксії з метал-органічних сполук на підкладках сапфіру, орієнтованих по кристалографічній осі c. Для вирощених плівок одержано фізичні параметри, що характерні для кристалічного GaN. Зафіксовано зсув A1(LO) фонона гратки GaN у спектрах ІЧ відбивання, який пояснено впливом 2-х чинників: механічних напружень в плівці і підкладці та легуванням плівки кремнієм.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.222

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Генцарь Петро Олексійович (фізико-математичні науки)
• Вуйчик Микола В'ячеславович (фізико-математичні науки)
• Янчук Ігор Богданович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"