РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІНАДХОДЖЕННЯ |
ПОШУК
|
РУБРИКАТОР
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб|
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000320904<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
Сизов Ф. Ф. Вплив низькотемпературного відпалу на струми у фотодіодних структурах на основі КРТ / Ф. Ф. Сизов, І. О. Лисюк, Ж. В. Гуменюк-Сичевська, З. Ф. Цибрій, К. В. Андрєєва // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2011. - 2, № 1. - С. 59-64. - Бібліогр.: 9 назв. - укp. Надано результати дії серії послідовних низькотемпературних відпалів (70, 80, 90, 100 °C тривалістю 10 годин) на розподіл струму в фотодіодних лінійках ІЧ діапазону (8 - 12 мкм), сформованих на епітаксійних плівках КРТ. Моделювання ВАХ фотодіода з урахуванням рівняння балансу носіїв заряду показало, що концентрації рекомбінаційних центрів зменшуються, а час життя неосновних носіїв заряду збільшується. Висунуто припущення, що деградація фотодіодів після відпалу з температурою 100 °C зумовлена малою товщиною епітаксійної плівки, а p - n перехід після відпалу досягає інтерфейсної межі. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
 Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" | |||
| Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
 |
| Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів |
 |
| Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського