Галій П. В. Вплив областей просторового заряду на релаксаційну емісію електронів опромінених діелектричних поверхонь / П. В. Галій, О. Я. Тузяк, О. П. Поплавський, О. В. Цвєткова // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - 12, № 1. - С. 38-45. - Бібліогр.: 17 назв. - укp.На базі теоретично розрахованих характеристик енергетичних спектрів народжених екзоелектронів у широкозонних кристалах CsI за допомогою методу Монте-Карло досліджено вплив областей просторового заряду та електрон-фононних взаємодій на транспорт до поверхні та вихід у вакуум низькоенергетичних екзоелектронів. Застосовуючи комп'ютерне моделювання процесів розсіяння на LO-фононах за присутності однорідного електричного прискорювального поля, одержано модельні енергетичні спектри екзоелектронів, що досягли поверхні, як межі розділу. Спектри демонструють, що енергії, набуті екзоелектронами за їх дрейфового руху у приповерхневому шарі і які досягли поверхні, можуть бути достатні для подолання ними поверхневого енергетичного бар'єру та виходу з кристала (екзоемісії). Індекс рубрикатора НБУВ: В379.327
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|