Сукач А. В. Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p - n-переходів / А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, І. О. Мазарчук, М. М. Кролевець, В. І. Лук'яненко, І. Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2010. - Вып. 45. - С. 109-116. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.Досліджено вплив поверхневої провідності на електричні властивості плавних мезаструктурних InAs p - n-переходів, виготовлених за допомогою дифузійного методу. З'ясовано, що внаслідок використання протравлювача 2 % Br2 + HBr для виготовлення мезаструктур в p - n-переходах виникає поверхнева шунтуюча провідність. Повторна хімічна обробка мезаструктур у протравлювачі на основі азотної кислоти суттєво зменшує темнові струми та вплив шунтуючої провідності на вольтамперні характеристики переходів. Показано, що темновий струм в p - n-переходах після повторної хімічної обробки мезаструктур в інтервалі температур 160 - 298 К зумовлений процесами генерації та рекомбінації носіїв в області просторового заряду, а за температур менших ніж 160 К - тунелюванням за участю дислокацій. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|