Наведено результати перших досліджень залежності спектрального складу та інтенсивності фотолюмінісценції (ФЛ) поруватих світловипромінювальних nc-Si - SiOx структур, що містять у собі нанокристали кремнію nc-Si в матриці SiOx від часу їх селективного травлення. Поруваті плівки SiOx одержано скісним осадженням у вакуумі монооксиду кремнію на c-Si підкладки та відпалено у вакуумі за температури 1020 і 700 <$E symbol Р>C, унаслідок чого в плівках SiOx формувались нанокластери кремнію nc-Si в кристалічному або аморфному станах. У спектрах ФЛ вихідних структур за кімнатної температури спостережено інтенсивні смуги з максимумами за 840 і 660 нм, які зумовлені випромінювальною рекомбінацією екситонів, що збуджуються в nc-Si. Внаслідок травлення зразків nc-Si - SiOx у слабкому розчині плавикової кислоти обидві смуги ФЛ зазнають значного зсуву у короткохвильову частину спектра. Короткохвильовий зсув максимумів випромінювання пов'язується зі зменшенням розмірів наночастинок Si через травлення оксиду та дооксидування наночасток. Показано можливість варіювання спектром випромінювання поруватих структур nc-Si - SiOx із кристалічними або аморфними nc-Si шляхом селективного травлення матриці SiOx.

• Індутний Іван Захарович (1949–) (фізико-математичні науки)
• Михайловська Катерина Василівна (політичні науки)
• Михайловська Катерина Василівна (фізико-математичні науки)
• Шепелявий Петро Євгенович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"