Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000321208<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Птащенко Ф. О. Вплив структури кремнієвих p - n переходів на їх характеристики як газових сенсорів / Ф. О. Птащенко, О. О. Птащенко, Г. В. Довганюк // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2011. - 2, № 4. - С. 13-19. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.Досліджено вплив рівня легування кремнієвих p - n переходів на їх характеристики як сенсорів парів аміаку. Проведено числові двовимірні розрахунки нерівноважних поверхневих процесів у p - n переходах у разі адсорбції молекул донорного газу. Встановлено, що при зростанні концентрації легуючих домішок змінюється механізм чутливості сенсорів. За низького рівня легування газова чутливість обумовлена утворенням поверхневого каналу з електронною провідністю. У сильно легованих структурах значну роль у формуванні поверхневого зворотного струму відіграє тунелювання електронів у поверхневий канал. Підвищення рівня легування веде до зниження фонового прямого струму сенсорів та до суттєвого зниження чутливості за низьких концентрацій парів аміаку. Індекс рубрикатора НБУВ: Г48-3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|