Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000321251<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Вакуленко О. В. Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками / О. В. Вакуленко, С. Л. Головинський, С. В. Кондратенко, І. А. Гринь, В. В. Стрільчук // Укр. фіз. журн. - 2011. - 56, № 4. - С. 384-391. - Бібліогр.: 25 назв. - укp.Досліджено In0,4Ga0,6As/GaAs гетероструктуру з ланцюгами квантових точок. Температурними дослідженнями темнового струму встановлено існування анізотропії електричних властивостей структури у температурному діапазоні від 77 до 150 K. Обчислено значення величин локалізації хвильової функції та середню довжину стрибка у гетеросистемі. За допомогою методу спектроскопії латерального фотоструму та фотолюмінесценції досліджено енергетичну структуру гетеросистеми. Запропоновано теоретичну модель опису температурної залежності латерального фотоструму, в межах якої з експериментальної залежності одержано значення енергій активації для електронів і важких дірок. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|