Наведено результати дослідження електричних явищ на фоточутливому контакті Pt/n-CdTe. За даними вольт-фарадних досліджень розраховано параметри бар'єра Шотткі. Встановлено механізми проходження струму крізь бар'єр: рекомбінація під час прямих і генерація та тунелювання під час зворотних зміщень. Електричні характеристики переходів кількісно описані в рамках моделі генерації-рекомбінації в області просторового заряду з урахуванням генераційно-рекомбінаційного рівня всередині забороненої зони.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5 + З852.2

Рубрики:

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж69219 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Хомяк Володимир Васильович (фізико-математичні науки)
• Ілащук Марія Іванівна (фізико-математичні науки)
• Орлецький Іван Григорович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"