В гетероструктурах In0,4Ga0,6As/GaAs с цепочками квантовых точек исследованы свойства латерального фототока, вызванного оптической перезарядкой центров электронной локализации. В кинетике фототока структур выявлены долговременная динамика нарастания и релаксации, а также эффект остаточной проводимости после выключения возбуждающего излучения. Установлено присутствие глубоких центров прилипания для электронов, которые в значительной степени влияют на транспорт носителей заряда и на процессы рекомбинации. Температурными исследованиями обнаружен эффект термостимулированной проводимости в гетероструктуре. Из анализа формы кривой термостимулированного тока получено значение глубины залегания уровня прилипания относительно зоны проводимости - 0,17 эВ.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Вакуленко Олег Васильович (фізико-математичні науки)
• Вакуленко Олена Володимирівна (географічні науки)
• Вакуленко Олена Василівна (педагогічні науки)
• Вакуленко Ольга Вікторівна (фізико-математичні науки)
• Головинський Сергій Леонідович (фізико-математичні науки)
• Кондратенко Світлана Вікторівна (педагогічні науки)
• Кондратенко Сергій Вікторович (фізико-математичні науки)
• Шокалюк Світлана Вікторівна (педагогічні науки)
• Кондратенко Світлана Володимирівна (філософські науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"