Пагава Т. А. Два канала отжига дивакансий в облученных кристаллах кремния n-типа / Т. А. Пагава, Н. Т. Бжалава, Н. И. Майсурадзе, Д. З. Хочолава, Л. С. Чхартишвили // Укр. фіз. журн. - 2010. - 55, № 11. - С. 1195-1200. - Библиогр.: 32 назв. - рус.Исследованы образцы кремния n-типа проводимости, полученные методом зонной плавки, с концентрацией основных носителей тока <$E 6~cdot~10 sup 13> см<^>-3, облученные электронами с энергией 2 МэВ. Показано, что в облученных образцах кремния n-Si дивакансии отжигаются по двум каналам: путем их конверсии в другие комплексы (V2O или PV2) и диссоциацией на отдельные моновакансии. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|