Досліджено вплив опромінення <$E gamma>-квантами <$E nothing sup 60 roman Co> дозою <$E 2~cdot~10 sup 8> рад на спектри низькотемпературної фотолюмінесценції гетероструктур <$E {roman Cd} sub x {roman Zn} sub 1-x roman {Se "/" ZnSe}> з одиничними квантовими ямами (КЯ) з різним вмістом кадмію (x = 0,21; 0,23; 0,35; 0,43). Показано, що після опромінення відбувається часткова релаксація напружень у КЯ і ZnSe шарах. Виявлено, що механізм релаксації напружень у КЯ залежить від вмісту в ній кадмію. Запропоновано, що релаксація напружень у ZnSe шарі та КЯ з x = 0,21 - 0,23 відбувається шляхом утворення (або перетворення) певним чином орієнтованих протяжних дефектів, а в КЯ з x = 0,35 - 0,4 - шляхом дифузії кадмію з КЯ в бар'єрні шари, прискореній деформаційними та концентраційними градієнтами поблизу гетеромежі КЯ/ZnSe.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Борковська Людмила Володимирівна (фізико-математичні науки)
• Корсунська Надія Овсіївна (1939–) (фізико-математичні науки)
• Кушніренко Володимир Іванович (фізико-математичні науки)
• Венгер Євген Федорович (1947–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"