![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000323586<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Камінський В. М. Діелектричні і електричні властивості водневмісних напівпровідникових наноматеріалів GaSe та InSe / В. М. Камінський, З. Д. Ковалюк, В. В. Нетяга, В. Б. Боледзюк, В. І. Іванов, С. В. Гаврилюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2010. - 11, № 2. - С. 367-372. - Бібліогр.: 12 назв. - укp.Досліджено діелектричні характеристики наноматеріалів GaSe та InSe і їх водневмісні інтеркалати. За допомогою методу імпедансної спектроскопії встановлено, що діелектричний спектр досліджуваних нанокристалів відповідає степеневому закону діелектричного відклику. Для інтеркалатів HxGaSe встановлено збільшення ємності та низькочастотної діелектричної проникності <$E epsilon prime> з ростом концентрації впровадженого водню, для зразків HxInSe залежність даних величин від x має немонотонний характер. Одержано частотні залежності дійсної та уявної частин електропровідності, дисперсія яких обумовлена наявністю двовимірних дефектів. Визначено електричні еквівалентні схеми досліджуваних нанокристалічних матеріалів. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В379.271.7
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|