Досліджено вплив нейтронного опромінення на параметри тонкоплівкових сенсорів магнітного поля на основі InAs та InSb. Визначено вплив спектра нейтронів на величину зміни параметрів сенсорів. Наведено результати відпалу радіаційних дефектів опромінених зразків. Показано, що зміна параметрів сенсорів на основі багатошарових структур визначається не тільки поведінкою матеріалу робочого шару, а також впливом нейтронного опромінення на властивості буферних шарів цієї структури.

• Большакова Інеса Антонівна (технічні науки)
• Ковальова Наталія Володимирівна (фізичне виховання та спорт)
• Ковальова Наталія Валентинівна (медичні науки)
• Макідо Олена Юріївна (технічні науки)
• Шуригін Федір Михайлович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"