Електронні енергетичні спектри кристалів GaN і InN розраховано у змішаному базисі, що складається з функцій Блоха глибоких електронних оболонок і плоских хвиль. Обмінний потенціал одержано на базі нового функціонала обмінної енергії, що включає градієнтні поправки електронної густини. Одержані значення параметрів енергетичної структури кристалів краще зіставляються з даними, розрахованими з точним обмінним потенціалом, ніж аналогічні, знайдені у наближенні локальної електронної густини. Значення енергій напівостовних d-електронів є близькими до експериментальних даних.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27

Рубрики:

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сиротюк Сергій Валерійович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"